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Ga2O3氧化鎵單晶襯底(直徑2英寸)
2019/08/15
詳細內容
氧化鎵是新一代功率半導體和深紫外光電子半導體材料，其禁帶寬度為4.9eV，遠遠大于氮化鎵（3.3eV）、碳化硅（3.4eV）和硅（1.1eV）的禁帶寬度。在功率半導體方面，氧化鎵的擊穿電場(chǎng)強度是硅的20多倍，是碳化硅和氮化家的2倍多，氧化鎵的擊穿電場(chǎng)強度可達8MV/cm。由于氧化鎵在諸多領(lǐng)域的重要應用價(jià)值,氧化鎵材料和器件的研究與應用，已成為當前研究與開(kāi)發(fā)的熱點(diǎn)和重點(diǎn)。為此，我們提供2英寸的Ga2O3單晶襯底。
標準技術(shù)參數：
備注：如需要其它晶面和尺寸的Ga2O3單晶襯底，請與我們聯(lián)系。