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2英寸Ga2O3氧化鎵外延片
2019/08/15
詳細內容
氧化鎵是新一代功率半導體和深紫外光電子半導體材料，其禁帶寬度為4.9eV，遠遠大于氮化鎵（3.3eV）、碳化硅（3.4eV）和硅（1.1eV）的禁帶寬度。在功率半導體方面，氧化鎵的擊穿電場(chǎng)強度是硅的20多倍，是碳化硅和氮化家的2倍多，氧化鎵的擊穿電場(chǎng)強度可達8MV/cm。由于氧化鎵在諸多領(lǐng)域的重要應用價(jià)值,氧化鎵材料和器件的研究與應用，已成為當前研究與開(kāi)發(fā)的熱點(diǎn)和重點(diǎn)。為此，我們提供2英寸Ga2O3外延片和2英寸的Ga2O3單晶襯底。
主要參數指標：
外延層 | 參數指標 |
摻雜劑 | Si (n-型) |
摻雜濃度 | 可指定在2x1016 和9x1016 cm-3之間 |
外延層厚度 | 指定在5和10μm之間 |
外延片襯底 | 參數指標 |
摻雜劑 | Sn (n-型) |
摻雜濃度 | 1~9x1018 cm-3 |
晶面 | (001) |
尺寸 | Φ2 英寸 |
厚度 | 0.65 mm |
XRD FWHM | ≦350 arcsec |
偏離角度 | 0°±1° |